GaAs (Gallium Arsenide)
GaAs(ガリウム砒素)は閃亜鉛鉱型結晶構造をもつ直接遷移型‡V-‡X族化合物半導体
の代表的存在、光デバイスやマイクロ波デバイスには欠かせない半導体材料となっている。
GaAs- Main Properties
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用途 |
Diode, Transistor, LED, Hall element, Laser element |
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クラス/ 結晶構造 |
Zincblende |
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育成方法 |
LEC |
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格子定数、Å |
5.6535 |
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バンドギャップ,Eg(eV) |
1.4（直接遷移型） |
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融点,℃ |
1237 |
Typical Properties:
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Dopant |
Diameter |
Type |
Concentration |
Mobility |
Resistivity (Ω.cm) |
EPD |
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Undoped GaAs |
2〜4 |
Semi |
Not specified |
≧5000 |
ρ31 x 107Wcm |
< 2´105 |
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Si-GaAs |
2 |
N |
(2-20) ´1017 |
〜2000 |
Not specified |
< 5´103 |
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Te-GaAs |
2 |
N |
(2-20) ´1017 |
〜3000 |
Not specified |
< 2´104 |
Standard physical dimensions:
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表面仕上げ |
・Optical Polishing |
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面方位 |
<100> ±0.25° |
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主フラット(OF) |
16+/-2 mm (2 inch) |
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副フラット(IF) |
8+/-2 mm (2 inch) |
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厚み |
350±25μm / 450±25μm (2” dia ) |
