Ge (Germanium)
ゲルマニウム

Ge- Main Properties

応用

Diode, Transistor, Hall element, IR optics…etc

クラス/結晶構造

Cubic (Diamond)

育成方法

CZ method

格子定数、Å

5.6754

密度、g/cm3

5.765

バンドギャップ,Eg(eV)

0.67

融点,℃

937.4

Typical Properties:

Parameters / dopant

Sb doped

In or Ga doped

Undoped

Conductor type

N

P

Resistivity (Ω.cm)

0.05

0.05 - 0.1

> 35

EPD (cm-2 )

< 4x103/cm2

< 4x103/cm2

< 4x103/cm2

Crystal Grades and Application
(Please specify when you order)

Electronic Grade:  Used for diodes and transistors
Infrared Grade:    Used for IR optical window
Cell Grade:        Used for substrates of solar cell

Standard Size:

面方位

<111>, <100> and <110>  ± 0.5o or special orientation

アズカット

f1" ~ f5" diameter x 200 mm Length

ウァハ−両面又は片面研磨

f 1"x 0.30 mm     f2"x0.5mm      f4"x0.5mm        f5"x0.6mm

Special size and orientation are available upon request


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