GaP (Gallium Phosphide)
GaP(リン化ガリウム)単結晶は間接遷移形化合物半導体であるが、ZnOやSを添加することにより
発光する。可視光発光ダイオードとして各種の表示素子や携帯電話の照明用(黄色、緑色)にも
使われている。
GaP- Main Properties
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応用 |
LD, Substrate |
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クラス/結晶構造 |
Zinc blende (Cubic) |
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育成方法 |
LEC |
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格子定数、Å |
a=5.4505 |
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密度 |
4.13 g/cm3 |
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熱膨張 |
5.3 x10-6 / oC |
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バンドギャップ,Eg(eV) |
2.3 (間接遷移型) |
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融点,℃ |
1480 |
Typical Properties:
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Dopant |
Diameter (mm) |
Type |
Concentration (cm3) |
Mobility (cm2/V.s) |
EPD (cm-2) |
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Undoped |
50 |
N |
Please ask |
Please ask |
Please ask |
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S-GaP |
50 |
N |
2-8 x 1017 |
80-130 |
2 x 105 |
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Te-GaP |
50 |
N |
2-8 x 1017 |
100-140 |
2 x 105 |
Standard physical dimensions:
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表面仕上げ |
・Optical Polishing |
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面方位 |
<100> ± 0.25° |
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主フラット(OF) |
16+/-2 mm (2 inch) |
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副フラット(IF) |
8+/-2 mm (2 inch) |
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厚み |
300 ±25μm |
