InSb ( Indium Antimonide)
アンチモン化インジウム単結晶は‡V-‡W族化合物で閃亜鉛鉱構造の材料です。SiやGaAsに比べて電子移動度が高いが
けん制帯域が0.17evと非常に小さいため、室温附近で十分な絶縁抵抗を取ることが出来ず、トランジスタなどの能動素子には
使えません。主にホール素子、磁気抵抗効果素子、赤外用素子などに使われている。
InSb- Main Properties
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応用 |
Hall element, Magneto resistive element |
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クラス/ 結晶構造 |
Zinc blende (Cubic) |
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育成方法 |
Czochralski (CZ) method |
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格子定数、Å |
a=6.4789 |
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成長方位 |
<100> |
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バンドギャップ,Eg(eV) |
0.17（直接遷移型） |
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融点,℃ |
525 |
Typical Properties:
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Dopant |
Size |
Type |
Concentration at |
Mobility |
EPD (cm-2) |
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Undoped InSb |
50mm |
N |
1´1014 - 3´1015 |
> 2´105 |
< 1´103 |
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Te-InSb |
50mm |
N |
4´1014 - 3´1015 |
> 2´105 |
< 1´103 |
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Ge-InAs |
50mm |
P |
5´1014 - 4´1015 |
> 4000 |
< 1´103 |
Standard Size:
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表面仕上げ |
・Optical Polishing |
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面方位 |
<100> ± 0.25° |
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主フラット(OF) |
16+/-2 mm (2 inch) |
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副フラット(IF) |
8+/-2 mm (2 inch) |
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厚み |
350±25μm / 450±25μm |
