GaSb (Gallium Antimonide)
アンチモン化ガリウムは閃亜鉛鉛鉱形結晶構造で、赤外発光ダイオード(LED)や光電変換素子などに用いられている。
GaSb- Main Properties
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応用 |
LD, Photo diode, Substrate |
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クラス/結晶構造 |
Zinc blende (Cubic) |
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育成方法 |
Czochralski |
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格子定数、Å |
a=6.095 |
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密度 |
5.619 g/cm3 |
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熱膨張 |
6.1 x10-6 / oC |
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バンドギャップ,Eg(eV) |
0.67 |
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融点,℃ |
710 |
Typical Properties:
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Dopant |
Diameter (mm) |
Type |
Concentration (cm3) |
Mobility (cm2/V.s) |
EPD (cm-2) |
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Undoped |
50/76 |
P |
(1-2) x 1017 |
600-700 |
0-10000 |
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Zn-GaSb |
50/76 |
P |
(5-100) x 1017 |
200-500 |
0-10000 |
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Te-GaSb |
50/76 |
N |
(1-20) x 1017 |
2000-3500 |
0-10000 |
Standard physical dimensions:
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表面仕上げ |
・Optical Polishing |
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面方位 |
<100> ± 0.25° |
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主フラット(OF) |
16+/-2 mm (2 inch) |
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副フラット(IF) |
8+/-2 mm (2 inch) |
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厚み |
420/500 ±25μm (2 inch) |
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Dual Bus Cell の特長
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・GaSb 基板 ? 0.65 mm 厚さ
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・Evaporated silver metal front and back
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・Grid width/グリッド幅 = 0.0163 mm
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・Grid spacing/グリッド間隔 = 0.102 mm
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・Active Area/有効面積 = 1.02 cm2
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・Ohmic bar width/抵抗棒の幅 = 0.75 mm
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Single Bus Cell の特長
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・GaSb 基板 - 0.65 mm 厚さ
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・Evaporated silver metal front and back
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・Grid width/グリッド幅 = 0.0163 mm
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・Grid spacing/グリッド間隔 = 0.102 mm
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・Active Area/有効面積 = 1.48 cm2
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・Bond pads/ボンドパッド = 1.14x0.89 mm
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標準のマウントセルも左図のように手掛けております。
これらのセルは金属のヒートスプレッダ(熱拡散器)に接続されており、
テスト系に簡単に接続可能なようにTeflonコートされたリード線が付いて
おります。
標準GaSbの太陽電池の有効面当りの量子効率の特性は左図に示されます。
この図は1200℃の場合のブラックボディー/黒体の場合です。
