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				| CdSe (Cadmium Selenide)セレン化カドミウム
 
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				|  | CdSe- Main Properties  |  |  | 
			
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							| 用途 | IR optics, Polarizers, l/4 and l/2 waveplates, BeamsplittersSubstrates, Sources for vacuum deposition
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							| クラス/結晶構造 | Wurtzite (Hexagonal) |  
							| 育成方法 | Seed Vapor - Phase Free Growth |  
							| 格子定数、Å | a =4.2985c = 7.0150
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							| 成長方位 | <0001> |  
							| 比抵抗率,Ohm x cm | 1...1x10P8 |  
							| ホール移動度, cmP2P/V.sec | 1050 (e) |  
							| EPD, cm^-1 | < 5x10P5P |  
							| 小傾角境界の濃度、cmP-1P | < 100 |  
							| 包有物、mm | < 10 |  
							| バンドギャップ,Eg(eV) | 1.7 |  
							| 融点,℃ | 1350 |  |  |  | 
			
				|  | Standard physical dimensions: |  |  | 
			
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							| サイズ | dia 50 mm <111>,  45x15 mm <110>,  45x15 mm <100> |  
							| 表面仕上げ | ・Optical Polishing,・Chemical Mechanical polishing
 ・As-cut
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							| 面方位 | <100>, <110>, <111> ±30 アーク秒Other orientation are available upon request
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				|  | CdSSe (Cadmium Sulphoselenide) 
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				|  | CdZnTe- Main Properties: |  |  | 
			
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							| 用途 | UV and light-blue and red radiation semiconductor lasers for projection systems |  
							| クラス/結晶構造 | Hexagonal |  
							| 育成方法 | Seed Vapor - Phase Free Growth |  
							| 格子定数、Å | 4.14<a<4.296.71<c<7.00
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							| 成長方位 | <0001> |  
							| 比抵抗率,Ohm x cm | 1...1x10P8 |  
							| ホール移動度, cmP2P/V.sec | − |  
							| EPD, cm^-1 | < 5x10P5P |  
							| 小傾角境界の濃度、cmP-1P | < 100 |  
							| 包有物、mm | < 10 |  |  |  | 
			
				|  | Standard physical dimensions: |  |  | 
			
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							| サイズ | dia 50 mm <111>,  45x15 mm <110>,  45x15 mm <100> |  
							| 表面仕上げ | ・Optical Polishing,・Chemical Mechanical polishing
 ・As-cut
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							| 面方位 | <100>, <110>, <111> ±30 アーク秒Other orientation are available upon request
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				|  | お問い合わせ |  | 株式会社ネオトロン |  |  | 
			
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