用途

IR optics, IR optics, polarizers, beamsplitters l/2 and l/4 waveplates, substrates

結晶構造

六方晶(Hexagonal)

育成方法

Seed Vapor - Phase Free Growth Tech.

格子定数、Å

a =4.1369、c = 6.7161

成長方位

<0001>

固有抵抗値 [Ohm･cm]

1〜1x10¹⁰

ホール移動度 [cm²/V.sec]

650 (e)

EPD [1/cm²]

< 5x10⁵

標準方位(オリエンテーション)[ mm³]

(0,0,0,1); (1,1,-2,0); (1,-1,0,0): 10x10x1、両面研磨可能

研磨

片面/両面研磨可能；エピタクシャル成長に用いる場合、ご要望面にエピ成長前に化学処理を
施します

標準サイズ[mm]

10x10x1

最大インゴット径 [mm]

40