InAs ( Indium Arsenide)
インジウム砒素
InAs- Main Properties
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応用 |
Hall element, Magneto resistive element |
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クラス/ 結晶構造 |
Zinc blende (Cubic) |
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育成方法 |
LEC |
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格子定数、Å |
a=6.0585 |
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成長方位 |
<100> |
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バンドギャップ,Eg(eV) |
0.36（直接遷移型） |
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融点,℃ |
942 |
Typical Properties:
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Dopant |
Size |
Type |
Concentration |
Mobility (cm2/V.s) |
EPD (cm-2) |
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Undoped InAs |
50mm |
N |
￡ 3´1016 |
?2´104 |
<3´104 |
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Sn-InAs |
50mm |
N |
(5-60) ´1017 |
>2000 |
<3´104 |
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S-InAs |
50mm |
N |
(3-80)´1017 |
>2000 |
<3´104 |
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Zn -InAs |
50mm |
P |
(1-80) ´1017 |
60-300 |
<3´104 |
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Mn -InAs |
50mm |
P |
(5-60) ´1017 |
60-300 |
<3´104 |
Standard Size:
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表面仕上げ |
・Optical Polishing |
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面方位 |
<100> ± 0.25° |
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主フラット(OF) |
16+/-2 mm (2 inch) |
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副フラット(IF) |
8+/-2 mm (2 inch) |
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厚み |
350±25μm / 420±25μm |
