InP (Indium Phosphide)
リン化インジウム単結晶は、高電界(104v/cm附近)での電子移動度ならびに耐放射線が高いのが特徴で高速電子デバイス用結晶、
MISFET、衛生搭載用半導体デバイス太陽電池、赤外線用半導体レーザ素子などに利用されております。
InP- Main Properties
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用途 |
Substrate for light-sensitive element, FET |
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クラス/ 結晶構造 |
Zincblende |
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育成方法 |
LEC |
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格子定数、Å |
5.869 |
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バンドギャップ,Eg(eV) |
1.29（直接遷移型） |
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融点,℃ |
1062 |
Typical Properties:
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Dopant |
Diameter |
Type |
Concentration |
Mobility |
Resistivity |
EPD |
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Undoped |
50 |
N |
(0.8-2)´1016 |
(3.5- 4) ´103 |
(5-6) ´104 |
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S-InP |
50 |
N |
(0.8-3)´1018 |
(2.0-2.4) ´103 |
< 3´1045´102 |
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76 |
N |
(0.8-3)´1018 |
(2.0-2.4) ´103 |
< 1´1051´103 |
||
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Zn-InP |
50 |
P |
(0.6-3) ´1018 |
70-90 |
< 3´1045´102 |
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Fe-InP |
50 |
N |
107-108 |
>2000 |
107-108 |
< 3´104 |
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76 |
N |
107-108 |
>2000 |
107-108 |
< 6´104 |
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Poly-InP |
50-70 |
N |
(0.6-5)´1016 |
Standard Size:
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表面仕上げ |
・Optical Polishing ・As-cut |
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面方位 |
<100> ± 0.25° |
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主フラット(OF) |
16+/-2 mm (2 inch) |
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副フラット(IF) |
8+/-2 mm (2 inch) |
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厚み |
350±25μm / 450±25μm (2” dia ) |
