Gallium Arsenide (GaAs)
ガリウム砒素（GaAs）ウインドウは、高中出力CW CO2レーザーシステムにおいてZnSeにとって代わる材料として、レンズ
やビームスプリッターに利用されております。吸湿性はございませんが水蒸気、酸、酸蒸気と反応して有毒なアルシンを
発生させるので取扱には注意が必要です。
ガリウム(Ga)と砒素(As)を材料とする半導体素材です。
ICの主流はシリコン(Si)をと半導体として用いたものだが、GaAsを
利用したものはSiよりも高速で動作し、消費電力も約3分の1と少なく、小型化容易という特徴がある。ただし、GaAsはSi
に比べ高価で純度の高いGaAsを得るのもSiより難しい。また、脆いため加工も難しい。
近年では微細加工技術の進歩
などでGaAsデバイスも安価に供給されるようになってきており携帯電話など小型で高周波特性が要求される用途を中心に
広く普及している。GaAsは、単体の元素から構成されるSiとは異なり、GaとAsの化合物からなるの半導体のため、化合物
半導体とも言われる。
各種結晶、仕様のフランジ付きの光学窓(超高真空用等)取り扱っております。ご参照下さい(⇒Data)
Basic Properties
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分子量 |
144.63 |
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密度 |
5.32 g/cm3 at 300 k |
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吸収率 1/cm at 10.6 μm |
<0.02 |
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透過帯域 |
1 to 11 μｍ |
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反射損失 |
43.8 % for 2 surfaces at 12 μm |
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誘電率 |
10.88 at 300 K, high frequency |
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融点 |
1511 °C |
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熱伝導率 |
55 W/(m K) at 300 K |
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熱膨張 |
5.7 x 10-6 1/K at 300 K |
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比熱容量 |
0.076 cal/(g K) at 273 K |
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デバイ温度 |
360 ℃ |
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硬度 |
Knoop 731 kg/mm2 |
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ヤング率 |
82.68 GPa |
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剛性率 |
75.5 Gpa |
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ポアソン比 |
0.31 |
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バンドギャップ |
1.4 eV |
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溶解度 |
None |
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波長 (μm) |
屈折率 |
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8.0 |
3.34 |
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10.0 |
3.13 |
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11.0 |
3.04 |
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13.0 |
2.97 |
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13.7 |
2.89 |
|
14.5 |
2.82 |
|
15.0 |
2.73 |
|
17.0 |
2.59 |
|
19.0 |
2.41 |
|
21.9 |
2.12 |
