Single
炭化ケイ素(SiC)は物理的、化学的にも安定で、高強度・硬度、熱伝導率、耐熱衝撃性のいずれも高く耐熱衝撃性
にも優れていることから、今後は青色発光ダイオード、およびシリコン(Si)に代わる半導体材料として期待されている。
SiC - Main Properties
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化学式 |
SiC |
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分子量 |
40.10 |
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結晶構造 |
Hexagonal |
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格子定数 |
a =3.08 Å c = 15.08Å |
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積層配列 |
ABCACB (6H) |
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成長方法 |
MOCVD |
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面方位 |
On axis or 3.5° off (0001) |
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研磨面 |
Silicon face polished |
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バンドギャップ |
2.93 eV (Indirect) |
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伝導型 |
N |
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抵抗値 |
0.076 ohm-cm |
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誘電率 |
e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 |
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熱伝導率 |
5 W / cm. K |
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硬度（Mohs） |
9 |
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標準サイズ |
〜 2inch dia x 0.4 mm thick |
