LiGaO2 (Lithium Dioxogallate)＆
The best substrates for GaN
LiGaO2ならびにLiAlO2結晶は窒化ガリウム(GaN)膜成長用基板材料
として現在一般的に用いられているサファイア等の材料と比べて
格子不整合の値が非常に小さいことから良質なエピタキシャル成長膜を
得られると期待されております。
*ミスマッチ係数
LiGaO2=0.2%, LiAlO2=1.4%, <0001> sapphire (14%), <100> MgO (3%), <0001> SiC (3.5%)
LiGaO2 & LiAlO2- Main Properties
|
クラス/結晶構造 |
LiGaO2 |
LiAlO2 |
|
クラス/結晶構造 |
Orthorhombic |
Tetragonal |
|
格子定数, Å |
a=5.402 Å b=6.372 c=5.007 |
a=5.1687 c=6.2676 |
|
育成方法 |
CZ |
CZ |
|
密度 (g/cm3) |
4.187 |
2.615 |
|
融点 (℃) |
1858 |
1973 |
|
熱膨張係数 (10-6/ °C) |
αa=11.8 αa=15.5 |
αa=7.1 |
|
誘電率（εr） |
εa=7.0 εb=6.5 εc=8.3 |
|
|
硬度 (Mohs) |
5 |
6.5 |
Standard physical dimensions:
|
標準サイズ |
φ20, 20x20,10x10,10x5,10x3mm…or customer design |
|
面方位 |
<100>, <110>, <111> ±0.5° |
|
表面 |
One or both sides polished, Ra< 5Å (5μm x 5μm) |
