Bi12GeO20 (Bismuth Germanium Oxide)
ビスマス ゲルマニウム オキサイド
に対して扱い易い結晶です。光学式メモリー、ホログラム、空間変調器などに応用可能です。
サイズ、面方位、研磨の有無はご希望に沿ってお作り致します。
Bi12GeO20 - Main Properties
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結晶構造/ Point group |
Cubic, 23 |
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格子定数、Å |
a＝10.145 |
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密度 |
9.2 g/cm3 |
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誘電率 |
εT11/εT0 39.4 |
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融点 |
930 °C |
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透過帯域 |
450 ~ 7500 nm |
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透過率 ＠633nm |
67 % |
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反射係数 ＠633nm |
2.55 |
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弾性スティフネス定数 |
εE11 1.29 |
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相対誘電率 |
56 |
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E/O 係数（10-12ｍ/V） |
γ41＝3.4 |
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光学活性 |
Left 20° |
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圧電応力定数（C/ｍ2） |
E14＝0.89 |
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抵抗 |
8ｘ1011Ω‐cm |
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誘電正接 |
0.0035 |
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カットタイプ |
Vs (m/s) |
K2s (%) |
TCV(10-6 /℃) |
TCD(10-6 /℃) |
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[110]-[001] |
1624 |
0.70 |
-105 |
128 |
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[001]-[110] |
1680 |
1.30 |
-117 |
140 |
NOTE:
If not specified, optical properties are given for wavelength 633 nm.
Coatings available:
a) AR @ 514.5 nm, 532 nm or other on request
b) ITO conductive/transparent coatings
c) electrodes Cr + Au
Optical absorption increases under illumination of crystal e.g. by sunlight.
