Langanite

LiNbO3 (Lithium Niobate)

ニオブ酸リチウム単結晶はE-O係数やA-O係数が大きいため、ポッケルスセル
やQスイッチ、位相変調器、導波路基板、表面弾性波(SAW)ウエハーなどに
用いられている材料です。ウエハー、アズカットボールなどお客様のご希望に
あわせカット致します。

応用:
・SAW・BAWデバイス ・圧電センサー(PET) ・圧電変換器(PES)

在庫一覧表
特性

結晶構造

三方晶系

点群 / 空間群

3m / R3c

格子定数、Å

a=5.148 c =13.863

密度, g/cm3

4.64

融点, ℃

1250

キュリー温度, ℃

1160

モース硬度, mohs

5

誘電率

ε110 = 85、ε330 = 29.5

弾性スティフネス定数, x1011N/m2

CE11 = 2.04、CE33 = 2.46

圧電歪み係数, x10-11C/N

d 22 = 2.04、d33 = 19.22

SAW 特性:

面方位

表面波速度
Vs (m/s)

電気機械結合係数
K2s (%)

速度温度係数
TCV(ppm/℃)

延滞時間温度係数
TCD(10-6 /℃)

127.86°Y-X

3970

5.5

-60

78

X-Y

3485

4.3

-85

95

標準サイズ:
仕様
インゴット
ウェハ-: (注)

直径

φ3"

φ4"

φ3"

φ4"

長さ又は厚さ

< 300 mm

< 150 mm

0.35 - 0.5 mm

面方位

127.86°Y、64°Y、1345°Y、X、Y、Z 並びにその他カットに対応

オリフラ

X、Y

オリフラ長
22±2mm
32±2mm
22±2mm
32±2mm
表面研磨
-
-
鏡面研磨 5-15Å
裏面ラッピング
-
-
0.3 - 1.0μm
平坦度
-
-
≦ 15
ボウ/Bow
-
-
≦ 25
:ウェハーのサイズ特注承ります
Lithium Niobate Thin Film(薄膜LN): LN=単結晶
当デバイス薄膜LNは通信機器、一般産業、消耗品そして医療分野
等で広く活用されております。
その他極薄フィルム
薄膜LT; 薄膜D.on Si
300-900nm 薄膜LiNbO3
トップ機能層
直径
3, 4, (6) インチ
方位
XYZ
材料
LiNbO3
厚さ
300-900nm
ドープ(オプション)
MgO
分離層
材料
SiO2
厚さ
1000-4000nm
基板
材料
Si,LN,石英,溶融石英
厚さ
400-500μm
電極層
(オプション)
材料
Pt, Au, Cr
厚さ
100-400nm
構造
上部又は下部にSiO2絶縁層
構造
デバイス-1
薄膜LN/ SiO2/ 基板:LN,Si,石英又は溶融石英
デバイス-2
薄膜LN/ 電極/ SiO2/ 基板:LN
デバイス-3
薄膜LN/ SiO2/ 電極/ 基板:LN
デバイス-4
MgOドープ薄膜LN/ SiO2/ MgOドープLN基板
デバイスLN-1 デバイスLN-2
デバイスLN-3 デバイスLN-4

お問い合わせ 株式会社ネオトロン