ＭＥＭＳアッテネータ，
アッテネータとOn-Off
アッテネータとOn-Off
に基づいて作られております。MEMSチップはシリコン保持による電動のミラーから構成
されております。MEMSチップへの電圧供給によってミラーを動かすことによって入出力間
のファイバーのカップリングを変える事で光の強度を変えております。
タイプ ・1280〜1330nm,1528〜1563nm, 1570〜1610nm
・ノン・ラッチング ・アッテネータとOn-Offハイブリッド
・20dB, ご要望に応じます
特長 ・コンパクトサイズ ・GR-1221に準拠
・不透明タイプ 或いは透明タイプに応じます
・同軸タイプあるいは14ピンDIPパッケージに対応します
応用 ・OADMシステム ・Mux/Dmuxシステム ・ch.透過器
・光クロスチャンネル ・ラインカード ・トランスポンダー
・ＥＤＦＡ
| パラメータ | 単位 | MEMS Att. | MEMSAtt/On-Off 混成 |
|||
| 過剰損失 | dB | 0.8(max) | ||||
| off時アイソレーション | ｄＢ | - | 45(min) | |||
| 平坦度 | 広帯域バンド応用 | dB | 0-15 | 0.4(max) | 0-15 | 0.4(max) |
| 狭帯域バンド応用 | dB | 0-20 | 0.2(max) | 0-20 | 0.2(max) | |
| PDL | 0-15dB | dB | 0.15(max) | |||
| 15-20dB | dB | 0.2(max) | ||||
| アッテネーション スロープ | dB/V | 20(max) | ||||
| PMD | ps | 0.05(max) | ||||
| 反射減衰量 | dB | -50(max) | ||||
| 許容入力パワー | mW | 500(max) | ||||
| 応答時間 | ms | 2(max) | ||||
| 耐久時間 | cycles min. | 1x10＾9 | ||||
| ファイバータイプ | ‐ | 9/125 SMF | ||||
| 動作/保存温度 | ℃ | -50〜+70/-40〜+85 | ||||
| 詳細(英文) | - | 概要説明 |  |
概要説明 | |
|
・シリンドリカルパッケージ ･14-pin DIP パッケージ
| パラメータ | 単位 | 特性値 |
| スイッチングタイプ | ‐ | ノン･ラッチング |
| DC駆動電圧 | VDC | 0-6.5 |
| ダメージ閾値電圧 | VDC | 10(max) |
| 抵抗 | MΩ | 2(min) |
| 消費電力 | μW | 20 |
| A :タイプ | コード |
| シリドリカル | C |
| 14pin DIL | D |
| D :減衰範囲 | コード |
| 20dB min. | 20 |
| XdBmin.(<=40 特定) | X |
| G:コネクタタイプ | コード |
| FC/SPC | FC |
| FC/APC | FC/APC |
| 特定コネクタ | X |
| なし | N |
| B :筐体タイプ | コード |
| 透明 | T |
| 不透明 | O |
| E :リップルタイプ | コード |
| Slow ripple(広帯域) | S |
| Fast ripple(狭帯域) | F |
| H :ファイバー長さ | コード |
| 1m | 1 |
| Xm長さ特定 | X |
| C：動作波長 | コード |
| 1280-1330nm | 13 |
| 1528-1563nm | 15 |
| 1570-1610nm | 16 |
| F :ジャケット | コード |
| 250um ベアー | 2B |
| 900umルース | 9L |
