エピウエハー
サファイヤ基板/ GaN(窒化ガリウム)
GaN on Sapphire
サファイヤ基板/ GaN(窒化ガリウム)
GaN on Sapphire
◇物理的特性：
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。
ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。バンドギャップは室温において約 3.4 eVで、波長
では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム (In)を加えて InGaN 結晶にすることで紫色、
青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色のひとつとして交通信号やディスプレイに用い
られる。他の半導体と比べて
1.熱伝導率が大きく放熱性に優れている 2.高温での動作が可能
3.電子の飽和速度が大きい 4.絶縁破壊電圧が高い
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。
ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。バンドギャップは室温において約 3.4 eVで、波長
では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム (In)を加えて InGaN 結晶にすることで紫色、
青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色のひとつとして交通信号やディスプレイに用い
られる。他の半導体と比べて
1.熱伝導率が大きく放熱性に優れている 2.高温での動作が可能
3.電子の飽和速度が大きい 4.絶縁破壊電圧が高い
窒化ガリウム（チッカガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料と
して用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
して用いられる半導体である。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。
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パラメータ
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仕様値
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伝導タイプ
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GaN:N-type
(ドープ無し) |
GaN:N-type
(Geドープ) |
GaN:半絶縁 type
(Feドープ) |
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サイズ:径 / 厚さ/ 有効面積
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φ:2インチ(50.8mm ±1mm) / 350±25 um / >90%
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面方位/Orientation
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M-軸0.35±0.15°に対してC-面 (0001) M-軸に0.35±0.15°OFF
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オリフラ/Orientation Flat
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(1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0 mm
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全厚さ変動
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≦15um
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抵抗率(300K)
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< 0.5 Ω･cm
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< 0.05 Ω･cm
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> 106 Ω･cm
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転位密度
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≦5x 105cm-2
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研磨
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前面: Ra < 0.2nm ; 背面: ファイングラインディング(砂目)
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梱包
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クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
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◇仕様: GaN(窒化ガリウム)単結晶/ Ge 並びに Fe ドープ
注意：その他仕様、在庫状況についてはお問い合わせ下さい。
サイズ:□10.0mm x 10.5mmタイプ
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パラメータ
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仕様値
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タイプ
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GaN:N-type
(ドープ無し) |
GaN:N-type
(Geドープ無し) |
GaN:半絶縁 type
(Feドープ無し) |
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サイズ:径 / 厚さ / 有効面積
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□10.0mm x 10.5mm; ±0.2mm / 350±25 um / >90%
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面方位/Orientation
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M-軸0.35±0.15°に対してC-面 (0001) M-軸に0.35±0.15°OFF
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オリフラ/Orientation Flat
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(1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0 mm
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全厚さ変動
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≦10um
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抵抗率(300K)
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< 0.5 Ω･cm
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< 0.05 Ω･cm
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> 106 Ω･cm
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転位密度
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≦5x 105cm-2
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研磨
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前面: Ra < 0.2nm(エピレディー研磨) ; 背面: ファイングラウンド(砂目)
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梱包
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クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
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サイズ:φ2インチ(50.8mm)タイプ
