在庫一覧表
エピウエハー
サファイヤ基板/ GaN(窒化ガリウム)
GaN on Sapphire
物理的特性:
結晶構造はウルツ鉱構造と閃亜鉛鉱構造の2種類を取りうるが、前者がエネルギー的に安定であり、よく使われている。
ウルツ鉱構造の格子定数は、a軸が 3.18 Å、c軸が 5.17 Å である。
バンドギャップは室温において約 3.4 eV で、波長では約 365 nm に相当し、紫外領域の光源となる。微量のインジウム (In)
を加えて InGaN 結晶にすることで紫色、青色の光源として用いることができる。発光ダイオードによる光の三原色のひとつとして
交通信号やディスプレイに用いられる。

他の半導体と比べて
1.熱伝導率が大きく放熱性に優れている     2.高温での動作が可能
3.電子の飽和速度が大きい             4.絶縁破壊電圧が高い
窒化ガリウム(チッカガリウム、GaN)はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード(青色LED)の材料として用いられる
半導体である。ガリウムナイトライド
(gallium nitride) とも呼ばれる。


パラメータ
仕様値
伝導タイプ
GaN:N-type
(ドープ無し)
GaN:N-type
(Geドープ)
GaN:半絶縁 type
(Feドープ)
サイズ:径 / 厚さ/ 有効面積
φ:2インチ(50.8mm ±1mm) / 350±25 um / >90%
面方位/Orientation
M-軸0.35±0.15°に対してC-面 (0001) M-軸に0.35±0.15°OFF
オリフラ/Orientation Flat
(1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0 mm
全厚さ変動
≦15um
抵抗率(300K)
< 0.5 Ω・cm
< 0.05 Ω・cm
> 106 Ω・cm
転位密度
≦5x 105cm-2
研磨
前面: Ra < 0.2nm ; 背面: ファイングラインディング(砂目)
梱包
クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
仕様: GaN(窒化ガリウム)単結晶/ Ge 並びに Fe ドープ
注意:その他仕様、在庫状況についてはお問い合わせ下さい。
サイズ:□10.0mm x 10.5mmタイプ
パラメータ
仕様値
タイプ
GaN:N-type
(ドープ無し)
GaN:N-type
(Geドープ無し)
GaN:半絶縁 type
(Feドープ無し)
サイズ:径 / 厚さ / 有効面積
10.0mm x 10.5mm; ±0.2mm / 350±25 um / >90%
面方位/Orientation
M-軸0.35±0.15°に対してC-面 (0001) M-軸に0.35±0.15°OFF
オリフラ/Orientation Flat
(1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0 mm
全厚さ変動
≦10um
抵抗率(300K)
< 0.5 Ω・cm
< 0.05 Ω・cm
> 106 Ω・cm
転位密度
≦5x 105cm-2
研磨
前面: Ra < 0.2nm(エピレディー研磨) ; 背面: ファイングラウンド(砂目)
梱包
クラス100の環境のクリーン室にて窒素雰囲気中で容器に梱包
サイズ:φ2インチ(50.8mm)タイプ
お問い合わせ
株式会社ネオトロン