Ruby，Yb:CaF2 , Nd:KGW，Yb:KYW，Alexandrite，Cr:Forsterite, Cr:LiSAF, Cr:LiCAF, Cr:LiSGaF
Nd:GdVO４；GdVO４
ユニオリエンタル社(中国・北京)はNdドープ結晶と半導体励起レーザとして見込まれている不純物の含まれていない
GdVO4を供給させて頂きます。Nd:YVO4と同じようにNd:GdVO4もまた励起波長において高利得、低閾値、
高吸収係数をもち、従ってその結晶格子とNdドープとの優れた結合結晶となります。
製造範囲：
・0.2から3.0 atom％のあいだのNdドーパント濃縮に対応いたします。
・1mmから15mmまでの口径サイズ、0.02mmから20mmまでの長さサイズのロッドに
応じます。
・大きなロッド、スラブ(板状)の形状、並びに標準でないドーパント濃縮等ご要望に
応じます。
・AR, HR そしてHT等のコーティングはご要望に応じます。
・2度以内の結晶a-軸、あるいはc-軸のロッド軸オリエンテーション(方向)に対応します。
| パラメータ | 仕様値 |
| ドーパント濃度公差 | 0.1% |
| 平行度 | <10 arc秒 |
| 垂直度 | <5 arc分 |
| 面取り | 0.1mm @45° |
| 有効口径 | 95% |
| 表面精度 | 20/10又はこれ以上 |
| 表面平坦度 | λ/10 @633nm |
| 光損傷閾値 | 15J/cm2以上 TEMoo, 10n秒, 10Hz |
| 詳細(英文) | 概要説明(英文） |
| 物理特性 | 仕様値 |
| 結晶構造 |
ジルコン正方晶(Zr Tetragonal), 空間群 D4h-14/atom, a=b=7.21、c＝6.35
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| 融点 |
1780℃ |
| 密度 |
5.47 g/cm3
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| モース硬度 |
ガラス‐等価〜5
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| 熱膨張係数 |
a a=1.5x10＾-6/K, a c=7.3x10＾-6/K
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| 熱伝導率 |
11.7 W/m/K <110>
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| ピーク吸収波長 |
808.5nm
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| レーザ発振波長 |
912.6nm, 1063.1nm, 1341.3nm
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| 結晶クラス |
正の短軸, no=na=nb, ne=ncno=1.9854, ne=2.1981, @1064nm, |
| 熱光学係数 |
dn/dT=4.7x10＾-6/K
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励起放射断面積 |
7.60x10^-19cm2, @1064nm
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| 蛍光寿命時間 |
95 m秒 @808nm
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| 損失係数 |
0.003 cm-1 @1064nm
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| 吸収係数 Nd=1.2 atom% |
74 cm-1 @808nm
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| 吸収長さNd=1.2 atom% |
0.18mm @808nm
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| 固有損失Nd=1.2 atom% |
0.1% cm-1以下 @1064nm
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| 線幅 |
0.6nm
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| 偏光レーザ光 |
光軸(c-軸)に対してp平行
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| 励起波長 |
807.5nm
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| 励起LD光の光効率 |
>60%
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セルマイヤーの式 |
ne2=4.734369+0.1216149/(I2-0.0523664)-0.013927I2 |
| 偏光放射 |
無偏光
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| 熱複屈折 |
高い
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GDVO4-S-O-Q-C
| S:サイズ |
ご指定
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| 縦x幅x厚さmm |
ご要望長さをmmで指定
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| Q:面精度 | ご指定 |
| 研磨あり | 研磨あり、ご要望研磨面 |
| 研磨あり | 光学研磨、ご要望研磨面 |
| 研磨なし | 研磨なし |
| O:面方位 |
ご指定
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| ( ｘ ｙ z ） | x,y,z:任意の数 |
| 指定なし | 指定なし |
| C:コーティング | ご指定 |
| AR(無反射) | AR |
| HR(高反射) | HR |
| HT(高透過) | HT |
| コーティングなし | NO |
