DFBレーザ,FPレーザ,SLD（760nm～2.8μm)並びに量子カスケードレーザ(9～12μm)
DFBレーザ(760nm～2.8μm)
◇当社独特のグレーティング技術に基づいた、製品で、GaAs、GaSb、
InP等の半導体材料の多くのヘテロ構造に適用でき、材料構造より
760nm～2.8μm帯域のDFBレーザが得られます。
◇応用:通信、医療関連、ガスセンシング並びに原子分光
◇主要な波長帯製品は 760nm, 852nm, 894nm, 953nm, 980nm, 1742nm, 1877nm,
2004nm, 2330nm, 2740nm 等があります。
ファブリーペローレーザ(760nm～2.8μm) ◇760nm～2.8nmの波長帯のSM、ないしはMMの製品が供給可能です。
◇パッケージングはTOカン(TO-5.6, TO-9, TO-8)、C-マウント、ファイバー結合
(同軸、バタフライ）に対応可能です。
SLD（ｽｰﾊﾟｰルミネッセンスダイオード)(980nm～2.3μm)(特注:760nm～2.4μm) ◇当社の通常のSLD製品は980nm～2300nmの高出力の広帯域なスペクトルを持った
ダイオードです。
また特別のご要望に対して760nmから2400nmの波長のSLDもご対応可能です。
◇応用:トモグラフィーを用いた医療関連への応用、ファイバージャイロスコープ等の光源 ◇測定波長:850～1625nm( 850/ 1310/ 1490/ 1550nm)のSM,MMのパワー測定
DFB量子カスケードレーザ(9～12μm) ◇当社の量子カスケードレーザは中間赤外線領域の波長のDFBレーザです。 ◇発振モードはシングルモードないしはマルチモードの9～12μmの波長範囲の製品が
御座います。
◇動作モードはペルチェ動作(-15℃)、室温にてパルス発振(標準パルス幅:100ns)動作をします。
◇当社独特のグレーティング技術に基づいた、製品で、GaAs、GaSb、
InP等の半導体材料の多くのヘテロ構造に適用でき、材料構造より
760nm～2.8μm帯域のDFBレーザが得られます。
◇応用:通信、医療関連、ガスセンシング並びに原子分光
◇主要な波長帯製品は 760nm, 852nm, 894nm, 953nm, 980nm, 1742nm, 1877nm,
2004nm, 2330nm, 2740nm 等があります。
ファブリーペローレーザ(760nm～2.8μm) ◇760nm～2.8nmの波長帯のSM、ないしはMMの製品が供給可能です。
◇パッケージングはTOカン(TO-5.6, TO-9, TO-8)、C-マウント、ファイバー結合
(同軸、バタフライ）に対応可能です。
SLD（ｽｰﾊﾟｰルミネッセンスダイオード)(980nm～2.3μm)(特注:760nm～2.4μm) ◇当社の通常のSLD製品は980nm～2300nmの高出力の広帯域なスペクトルを持った
ダイオードです。
また特別のご要望に対して760nmから2400nmの波長のSLDもご対応可能です。
◇応用:トモグラフィーを用いた医療関連への応用、ファイバージャイロスコープ等の光源 ◇測定波長:850～1625nm( 850/ 1310/ 1490/ 1550nm)のSM,MMのパワー測定
DFB量子カスケードレーザ(9～12μm) ◇当社の量子カスケードレーザは中間赤外線領域の波長のDFBレーザです。 ◇発振モードはシングルモードないしはマルチモードの9～12μmの波長範囲の製品が
御座います。
◇動作モードはペルチェ動作(-15℃)、室温にてパルス発振(標準パルス幅:100ns)動作をします。
