◇特長
モデルNIR-MX800-LN-10光強度変調器は800nmの動作波長に対して10GHz迄のデータ伝送用のとして開発された
製品です。
このマッハ・ツェンダー型のX-カット設計の変調器は800nmで動作するように設計されておりLiNbO3の外部変調器の類い
稀な利点があります。:例えば広帯域特性、30dB以上の高消光比特性、適応が簡単等々があります。
Photline社特有の導波路デザインはNIR-MX800は安定動作を保ち、入力パワーの数10mWまで対応致します。
モデルNIR-MX800-LN-10光強度変調器は800nmの動作波長に対して10GHz迄のデータ伝送用のとして開発された
製品です。
このマッハ・ツェンダー型のX-カット設計の変調器は800nmで動作するように設計されておりLiNbO3の外部変調器の類い
稀な利点があります。:例えば広帯域特性、30dB以上の高消光比特性、適応が簡単等々があります。
Photline社特有の導波路デザインはNIR-MX800は安定動作を保ち、入力パワーの数10mWまで対応致します。
◇製品：LN変調器
光強度変調器：NIR-MX800-LN-10
800nmバンド, 10GHz, Intensity Modulator
光強度変調器：NIR-MX800-LN-10
800nmバンド, 10GHz, Intensity Modulator
光強度変調器: NIR-MX800-LN-10主要特性
|
パラメータ
|
Min.
|
Typ.
|
Max.
|
単位
|
|
動作波長
|
800 バンド
|
nm
|
||
|
EOバンド幅
|
10
|
12
|
-
|
GHz
|
|
挿入損失(dB)
|
-
|
4.5
|
-
|
dB
|
|
入力パワー
|
-
|
-
|
20
|
mW
|
|
消光比
|
20
|
25
|
0
|
dB
|
◇応用
・短パルス発生-パルスピッキング-パルスピーキング
への適応
・通信事業者の信号抑圧への適応
･光ファイバ-センシングへの適応
･量子光学への適応
・短パルス発生-パルスピッキング-パルスピーキング
への適応
・通信事業者の信号抑圧への適応
･光ファイバ-センシングへの適応
･量子光学への適応
◇関連製品
●RFドライバー:
･パルスRFドライバ:DR-PL-10-MO-LR/-HR
・アナログドライバ:DR-AN-10-MO
・デジタルドライバ:DR-DG-10-MO-NRZ/-RZ
・デジタルドライバ:DR-DG-12-MO
●ModBox & バイアスコントローラ:
・バイアスコントローラ:MBC-DG-LAB;
・パルスModBox
・アナログModBox
・デジタルModBox
●RFドライバー:
･パルスRFドライバ:DR-PL-10-MO-LR/-HR
・アナログドライバ:DR-AN-10-MO
・デジタルドライバ:DR-DG-10-MO-NRZ/-RZ
・デジタルドライバ:DR-DG-12-MO
●ModBox & バイアスコントローラ:
・バイアスコントローラ:MBC-DG-LAB;
・パルスModBox
・アナログModBox
・デジタルModBox
