LEYSOP社は空間系の光変調、Ｑ-スイッチ、パルススライス、パルスピッキング用として、縦、横型のポッケルセルの
様々なタイプがあります。もしご要望の物が見当たらない場合はご連絡下さい。対応させて頂きます。
様々なタイプがあります。もしご要望の物が見当たらない場合はご連絡下さい。対応させて頂きます。
空間系デバイス/ EO-Qスイッチ、ポッケルセル
BBOポッケルセル(Q-スイッチシステム用)
LEYSOP Ltd.
BBOポッケルセル(Q-スイッチシステム用)
LEYSOP Ltd.
BBOポッケルセル(Q-スイッチシステム用)
平均パワーでの操作では数100Ｗのパワーで動作可能で、ＢＢＯ結晶より優れた選択肢は有りません。低圧電係数は
高繰り返しの応用に適しています。
平均パワーでの操作では数100Ｗのパワーで動作可能で、ＢＢＯ結晶より優れた選択肢は有りません。低圧電係数は
高繰り返しの応用に適しています。
BBO特長は 1.電気光学効果を有する数少ない結晶の１つ ２．200nmから>2umの光透過特性を持つ
３．1064nmに於ける1nsパルスに対して3GW/cm2を超えるパワーハンドリングで高い光損傷抵抗を持つ
４．平均光パワーハンドリング処理能力も数百ワット平均パワーレベル、及び数kW/cm2のパワー密度でBBOポッケルス
電池を使用可能５．非常に低いレベルのピエゾ電気共振を持っている
欠点としては電気光学係数が低く、所要の結晶寸法に対して半波長電圧は同等のポッケルスと比較して高いため、結晶
を長く、薄くする事に依って敏感にしております。
標準デバイスは-材料、-開口部、-結晶長、-ARコーテング仕様を規定する番号に因ってモデル番号が規定されます。
例えば1064nmのARコーティングの施された25mm長、4mm口径の結晶の場合は BBO-4-25-AR1065となります。
３．1064nmに於ける1nsパルスに対して3GW/cm2を超えるパワーハンドリングで高い光損傷抵抗を持つ
４．平均光パワーハンドリング処理能力も数百ワット平均パワーレベル、及び数kW/cm2のパワー密度でBBOポッケルス
電池を使用可能５．非常に低いレベルのピエゾ電気共振を持っている
欠点としては電気光学係数が低く、所要の結晶寸法に対して半波長電圧は同等のポッケルスと比較して高いため、結晶
を長く、薄くする事に依って敏感にしております。
標準デバイスは-材料、-開口部、-結晶長、-ARコーテング仕様を規定する番号に因ってモデル番号が規定されます。
例えば1064nmのARコーティングの施された25mm長、4mm口径の結晶の場合は BBO-4-25-AR1065となります。
標準 仕様
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パラメータ
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仕様
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透過率( e.g. at 1064nm)
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> 98.5%
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可能な口径
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2, 3, 4, 5, 6, 7, 8mm 標準
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半端長電圧 @ 1.06um
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7 kV for 3x3x20mm 結晶
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消光比
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> 30 dB 標準
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容量
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5 ~ 10pF 標準
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ダメージ閾値
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1 GW/cm2 at 1064nm (τ=10ns)
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適応波長
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220nm~2,000nm
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インターフェース図
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下図をご参照下さい
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1.BBO-X-20: 20mm 長、結晶１つ
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| 2.BBO-X-20: 20mm 長、結晶１つ | |
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3.BBO-X-40: 40mm 長、結晶2つ
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4.BBO-X-40: 40mm 長、結晶2つ
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