LEYSOP社は空間系の光変調、Ｑ-スイッチ、パルススライス、パルスピッキング用として、縦、横磁場型のポッケルセル
の様々なタイプがあります。もしご要望の物が見当たらない場合はご連絡下さい。対応させて頂きます。
の様々なタイプがあります。もしご要望の物が見当たらない場合はご連絡下さい。対応させて頂きます。
空間系デバイス/ EO-Qスイッチ、ポッケルセル
横磁場ポッケルセル/Transverse Field Pocckels Cells
LEYSOP Ltd.
横磁場ポッケルセル/Transverse Field Pocckels Cells
LEYSOP Ltd.
トランスバースフィールド/横磁場ポッケルセル
横電界デバイスは波長が1100nmより長い場合、又は小型あるいは低電圧動作が必要な場合に特に適してます。殆どの
横方向ポッケルセルはニオブ酸リチウム、又はタンタル酸リチウムの何れかが使用され、最適な選択は応用により決定。
横電界デバイスは波長が1100nmより長い場合、又は小型あるいは低電圧動作が必要な場合に特に適してます。殆どの
横方向ポッケルセルはニオブ酸リチウム、又はタンタル酸リチウムの何れかが使用され、最適な選択は応用により決定。
横電界ポッケルセルは、通常LiNbO3の場合、Ｚカット結晶、LiTaO3の場合には複屈折キャンセルのため、配向される
2つのX、又はＹカット結晶の何れかである。大部分の用途では、結晶に適合する適切なサイズの簡単に機械加工された
アルミニューム合金チャンネルハウジング内に取り付ける事が出来る。必要に応じて、特別な固定又は他の寸法要件を
適度なコストで組み込む事が出来る。
LiNbO3/ニオブ酸リチウム
この結晶は横型ポッケルセル製造にとって非常に重要な材料である。450nmから4um超の広帯域に亘って優れた透明性
を有してます。材料の光軸は光の伝播方向と並行であり、遭遇する複屈折は無い。これは良好な熱安定性が自動的に
保証されるので光学システムの設計を単純化します。これは、静電界の場合には約6.7×10-12mV-1の値を有し、
急速に変化する電界に対しては半分強の値を有するr22電気光学係数にアクセスする。静的値が、電界の印加により
結晶に機械的に歪みを与え、追加の光学的位相変化を誘発する、圧電光学効果からの寄与を含むからである。
したがって、規定された半波電圧がDCまたはACドライブで定義されているかどうかを確認することが重要です。
zカット形状および提案されたサイズを使用する、横方向のLiNbO3電池の典型的な静磁場半波電圧（Vπ）のいくつか
の例を以下の表に示す。高速スイッチングアプリケーション（Qスイッチなど）では、これらを約2倍にしてください。
LiTaO3/タンタル酸リチウム
この結晶は有用なr 22電気光学係数を持たないので、光軸伝播モードでは使用されない。代わりに、光がY軸を伝搬し、
電場がZ軸を横切るように方向付けされる。 r13とr33の電気光学係数の組み合わせが活動的である。これは複屈折軸
であるため、複屈折の相殺には結晶の複合対が再び使用され、十分に整合した結晶が使用される場合、温度安定性は
かなり良好である（部分的には複屈折の値が小さいため）。LiTaO3の光透過範囲は、LiNbO3と同様であるが、先に説明
した短波長の光学的損傷の影響を受けない。これは、例えば、アルゴンイオンおよび周波数が倍増されたNd +：YAG
レーザーを有する中程度の高出力の可視レーザ用途に特に適している。
いくつかのサンプルサイズと性能は、次の表に示されています（これらの値は、DCおよびAC駆動アプリケーションに
適用されますが、寸法は合成ペアの各クリスタルを参照しています）。
なお、LiNbO3, LiTaO3の結晶については弊社ネオトロンのホームページ
http://www.neotron.co.jp/crystal/9/LiNbO3.html をご参照下さい。
2つのX、又はＹカット結晶の何れかである。大部分の用途では、結晶に適合する適切なサイズの簡単に機械加工された
アルミニューム合金チャンネルハウジング内に取り付ける事が出来る。必要に応じて、特別な固定又は他の寸法要件を
適度なコストで組み込む事が出来る。
LiNbO3/ニオブ酸リチウム
この結晶は横型ポッケルセル製造にとって非常に重要な材料である。450nmから4um超の広帯域に亘って優れた透明性
を有してます。材料の光軸は光の伝播方向と並行であり、遭遇する複屈折は無い。これは良好な熱安定性が自動的に
保証されるので光学システムの設計を単純化します。これは、静電界の場合には約6.7×10-12mV-1の値を有し、
急速に変化する電界に対しては半分強の値を有するr22電気光学係数にアクセスする。静的値が、電界の印加により
結晶に機械的に歪みを与え、追加の光学的位相変化を誘発する、圧電光学効果からの寄与を含むからである。
したがって、規定された半波電圧がDCまたはACドライブで定義されているかどうかを確認することが重要です。
zカット形状および提案されたサイズを使用する、横方向のLiNbO3電池の典型的な静磁場半波電圧（Vπ）のいくつか
の例を以下の表に示す。高速スイッチングアプリケーション（Qスイッチなど）では、これらを約2倍にしてください。
LiTaO3/タンタル酸リチウム
この結晶は有用なr 22電気光学係数を持たないので、光軸伝播モードでは使用されない。代わりに、光がY軸を伝搬し、
電場がZ軸を横切るように方向付けされる。 r13とr33の電気光学係数の組み合わせが活動的である。これは複屈折軸
であるため、複屈折の相殺には結晶の複合対が再び使用され、十分に整合した結晶が使用される場合、温度安定性は
かなり良好である（部分的には複屈折の値が小さいため）。LiTaO3の光透過範囲は、LiNbO3と同様であるが、先に説明
した短波長の光学的損傷の影響を受けない。これは、例えば、アルゴンイオンおよび周波数が倍増されたNd +：YAG
レーザーを有する中程度の高出力の可視レーザ用途に特に適している。
いくつかのサンプルサイズと性能は、次の表に示されています（これらの値は、DCおよびAC駆動アプリケーションに
適用されますが、寸法は合成ペアの各クリスタルを参照しています）。
なお、LiNbO3, LiTaO3の結晶については弊社ネオトロンのホームページ
http://www.neotron.co.jp/crystal/9/LiNbO3.html をご参照下さい。
LiNbO3/ニオブ酸リチウム
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サイズ(mm)
|
Ｖπ(1064nm)
|
Ｖπ(633nm)
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9 x 9 x 25
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3.05 kV
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1.45 kV
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3 x 3 x 12
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2.13 kV
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1.03 kV
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2.5 x 2.5 x 36
|
0.65kV
|
0.29 kV
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LiTaO3/タンタル酸リチウム
|
サイズ(mm)
|
Ｖπ(1064nm)
|
Ｖπ(633nm)
|
Ｖπ(458nm)
|
|
3 x 3 x 12
|
630 V
|
350 V
|
217 V
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2.5 x 2.5 x 24
|
263 V
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146 V
|
90 V
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