光ファイバーデバイス
エミッター/ FP& DFB/ LED/ パルスレーザ/ VCSEL/ マルチプルデバイス 双方向Tx&Rx/ レーザコンバイナ-/ トリプレクサ/ フォトダイオード Ge・ InGaAs・Si PIN & APD/ トランシーバ/ シュガーキューブ 1x9 ・環境対応・SFPTXVR/ トランスミッタ・レシーバ/ ELED/ PIN TIA PD-LD |
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フォト ダイオード | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ge PIN & APD | InGaAs & Si PIN , APD | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ge アバランシェ PD ・Ge APD ・800~2100nm |
Ge フォトダイオード/500um ・有効径500um ・近赤外/赤外波長 |
Ge フォトダイオード/1mm ・有効径500um ・近赤外/赤外波長 |
長波長高感度InGaAs PD ・波長:1.1~2.6um ・有効径:300um |
大口径Si PINダイオード ・波長:550~1050nm ・有効径:1.5, 3mm |
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InGaAs & Si PIN, APD(つづき) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
標準Si PINダイオード ・波長:400-1100um ・有効径:500um |
InGaAs APD/80um ・有効径:80um ・低雑音、高応答、高速 |
InGaAs APD/55um ・有効径:55um ・オプション:応答対応 |
大口径InGaAsPIN PD/3mm ・波長:800-1650nm ・有効径:3mm |
InGaAsPIN PD/1mm ・波長:1000-1650nm ・有効径:1mm |
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InGaAs & Si PIN, APD(つづき) | Si PIN & APD | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
InGaAsアナログPD ・波長:1100-1600nm ・低雑音、高応答 |
InGaAs PIN PD:300um ・波長:1100-1650nm ・オプション:レセプタクル |
GaAs PIN PD:70um ・波長:1100-1620nm ・オプション:レセプタクル |
標準Si APD ・Si アバランシェPD ・有効径:500um |
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株式会社ネオトロン | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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