◇製品名:可飽和吸収デバイス
可飽和雑音抑圧器/SANOSTM
λ=1530nm..1560nm
SANOSTM:Saturable Noise Suppressor product
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和雑音抑圧器/SANOSTM
λ=1530nm..1560nm
SANOSTM:Saturable Noise Suppressor product
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和吸収ミラーは超短パルス波を発生する受動モードロック技術により様々なレーザのキャビティ内の受動デバイスに設置され
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和雑音抑圧器については以下ご参照下さい。⇒資料1(詳細)；資料2(詳細)
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和雑音抑圧器については以下ご参照下さい。⇒資料1(詳細)；資料2(詳細)
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部品番号
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仕様
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データ
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FS-SANOS -15XX
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ファイバー結合 SANOS: l = 1530 .. 1560 nm, スペクトルバンド幅: 3 nm, FWHM: 16 nm
雑音抑圧比: 6 .. 18 dB, 挿入損失: 3 dB, 飽和のパルスピークパワー: 500 mW |
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FS-SANOS -15XX-TEC
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ファイバー結合 SANOS: l = 1530 .. 1560 nm TEC付き, スペクトルバンド幅: 3 nm,
FWHM: 16 nm, 雑音抑圧比: 6 .. 18 dB, 挿入損失: 3 dB, 飽和のパルスピークパワー: 500 mW, 共振波長への温度移動 TEC付き: 6 nm |
■ SANOSTM 1530 nm .. 1560nm , 雑音抑圧比 =6.. 18dB