◇製品名:可飽和デバイス(Saturable Absorber)
可飽和吸収ミラー/SAMTM
λ=1064nm
Saturable Absorber Mirror
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和吸収ミラー/SAMTM
λ=1064nm
Saturable Absorber Mirror
BATOP Optoelectronics GmbH
■SAM 1064 nm, 緩和時間:t ～ 2 ps, 3 ps, 5 ps
可飽和吸収ミラーは超短パルス波を発生する受動モードロック技術により様々なレーザのキャビティ内の受動デバイスに設置され
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収ミラー(SAM)の種類等に関しては以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収ミラー(SAM)の種類等に関しては以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
|
部品番号 Help
|
仕様
|
データ
|
|
SAM-1064-0.7-x-500 fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 0.7 %, D R = 0.4 %, t ~ 500 fs
|
|
|
SAM-1064-1-x-1ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 1 %, D R = 0.6 %, t ~ 1 ps
|
|
|
SAM-1064-1.5-x-1ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 1.5 %, D R = 0.8 %, t ~ 1 ps
|
|
|
SAM-1064-2-x-1ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 2 %, D R = 1.2 %, t ~ 1 ps
|
|
|
SAM-1064-3-x-1ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 3 %, D R = 1.6 %, t ~ 1 ps
|
|
|
SAM-1064-3.5-x-1ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 3.5 %, D R = 2 %, t ~ 1 ps
|
|
|
SAM-1064-4-x-1 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 4 %, D R = 2.4 %, t ~ 1 ps
|
|
|
SAM-1064-8-x-600 fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 8 %, D R = 5 %, t ~ 600 fs
|
|
|
SAM-1064-10-x-500fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 10 %, D R = 6 %, t ~ 500 fs
|
|
|
SAM-1064-13-x-500fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 13 %, D R = 8 %, t ~ 500 fs, 共振設計
|
|
|
SAM-1064-21-x-500fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 21 %, D R = 10 %, t ~ 500 fs, 多重量子井戸構造
|
|
|
SAM-1064-23-x-1 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 28 %, D R = 15 %, t ~ 1 ps, 反共振多重量子井戸構造
|
|
|
SAM-1064-26-x-1 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 28 %, D R = 13 %, t ~ 1 ps, 共振多重量子井戸構造
|
|
|
SAM-1064-28-x-500fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 28 %, D R = 15 %, t ~ 500 fs, 反共振多重量子井戸構造
|
|
|
SAM-1064-30-x-1 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 30 %, D R = 17 %, t ~ 1 ps
ファイバーレーザ用モードロック用反共振多重量子井戸構造 |
|
|
SAM-1064-40-x-500fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 40 %, D R = 22 %, t ~ 500 fs, 反共振多重量子井戸構造
|
|
|
SAM-1064-50-x-500fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 50 %, D R = 28 %, t ~ 500 fs, 反共振多重量子井戸構造
|
|
|
SAM-1064-70-x-500fs
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 70 %, D R = 40 %, t ~ 500 fs
ファイバーレーザ用モードロック用多重量子井戸構造 |
|
|
ヒートシンク
|
ファイバー結合SAM用ヒートシンク
|
|
部品番号 Help
|
仕様
|
データ
|
|
SAM-1064-5-x-3ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 5 %, D R = 3 %, t ~ 3 ps
|
|
|
SAM-1064-5-x-5ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 5 %, D R = 3.5 %, t ~ 5 ps,反共振構造
|
|
|
SAM-1064-12-x-5ps
|
SAM: l = 10640 nm, 吸収率 12 %, D R = 7 %, t ~ 5 ps,反共振構造
|
|
|
SAM-1064-18-x-5ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 18 %, D R = 10 %, t ~ 5 ps, 反共振構造
|
|
|
SAM-1064-50-x-2ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 50 %, D R = 33 %, t ~ 2 ps, 共振吸収構造
|
|
|
SAM-1064-50-x-5ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 50 %, D R = 25 %, t ~ 5 ps, 共振吸収構造
|
|
|
SAM-1064-70-x-3ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 70 %, D R = 44%, t ~ 3 ps,
共振多重量子井戸構造 |
■高速 SAM 1064 nm, 緩和時間:t ～ 500 fs, 600 fs, 1 ps
■SAM 1064 nm, 緩和時間:t ～ 7 ps, 9ps, 10 ps, 12 ps
|
部品番号 Help
|
仕様
|
データ
|
|
SAM-1064 -0.7-x-10 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 0.7 %, D R = 0.4 %, t ~ 10 ps
|
|
|
SAM-1064 -1-x-10 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 1 %, D R = 0.6 %, t ~ 10 ps
|
|
|
SAM-1064 -2-x-10 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 2 %, D R = 1.2 %, t ~ 10 ps
|
|
|
SAM-1064 -4-x-10 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 4 %, D R = 3 %, t ~ 10 ps
|
|
|
SAM-1064 -12-x-16 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 12 %, D R = 6 %, t ~ 16 ps
|
|
|
SAM-1064 -23-x-9 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 23 %, D R = 13 %, t ~ 9 ps
ファイバーレーザ用モードロック用反共振構造 |
|
|
SAM-1064 -38-x-7 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 38 %, D R = 23 %, t ~ 7 ps
ファイバーレーザ用モードロック用共振多重量子井戸構造 |
|
|
SAM-1064 -40-x-9 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 40 %, D R = 25 %, t ~ 9 ps
ファイバーレーザ用モードロック用反共振多重量子井戸構造 |
|
|
SAM-1064 -50-x-9 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 50 %, D R = 33 %, t ~ 9 ps
ファイバーレーザ用モードロック用反共振多重量子井戸構造 |
|
|
SAM-1064- 50-x-12 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 50 %, D R = 40 %, t ~ 12 ps
ファイバーレーザ用モードロック用反共振多重量子井戸構造 |
|
|
SAM-1064 -65-x-9 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 65 %, D R = 50 %, t ~ 9 ps
ファイバーレーザ用モードロック用共振多重量子井戸構造 |
|
|
ヒートシンク
|
ファイバー結合SAM用ヒートシンク
|
■SAM 1064 nm, 吸収率:2 %
|
部品番号 Help
|
仕様
|
データ
|
|
SAM-1064-2-x-t
|
Saturable Absorber Mirror, 動作波長 1064 nm, 吸収率 2 %, 緩和時間 t
|
|
|
SAM-1064-2-0-t
|
unmounted chip, サイズ: 4 mm x 4 mm, 厚さ: 400 µm
|
|
|
SAM-1064-2-0-t
|
unmounted chip, サイズ: 1 mm x 1 mm or 1.3 mm x 1.3 mm,
厚さ: 400 µm, ファイバーの突き合わせ結合用, 5 個/set |
|
|
SAM-1064-2-12.7 g-t
|
mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm Ø
|
|
|
SAM-1064-2-25.0 g-t
|
mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
|
|
|
SAM-1064-2-25.4 g-t
|
mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm Ø
|
|
|
SAM-1064-2-12.7 s-t
|
mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm Ø
|
|
|
SAM-1064-2-25.0 s-t
|
mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
|
|
|
SAM-1064-2-25.4 s-t
|
mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm Ø
|
|
|
SAM-1064-2-25.0 w-t
|
mounted: soldered on a water cooled Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
|
|
|
SAM-1064-2-25.0 h-t
|
mounted: Thin film soldered SAM on a water cooled copper heat sink
with 25.0 mm diameter for high power applications |
|
|
SAM-1064-2-FC/PC-t
|
mounted on a 1 m monomode fiber cable with FC/PC or その他コネクタ対応
以下在庫商品: HI 980 (Corning), HI 1060 (Corning), 1060 XP (Nufern), Panda PM980-XP (Nufern) |
■SAM 1064 nm, 緩和時間:t ～ 25 ps, 27 ps
|
部品番号 Help
|
仕様
|
データ
|
|
SAM-1064-5-x-27 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 5 %, D R = 4 %, t ~ 27 ps
|
|
|
SAM-1064-8-x-25 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 7 %, D R = 6 %, t ~ 25 ps, 反共振構造
|
■SAM 1064 nm, 緩和時間:t >= 50 ps, & HR coating for 808nm Q-スイッチマイクロチップレーザ
|
部品番号 Help
|
仕様
|
データ
|
|
SAM-1064-9-x-47 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 9 %, D R = 5.7 %, t ~ 47 ps, 反射率 at 808nm: 67%
|
|
|
SAM-1064-10-x-47 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 10 %, D R = 6 %, t ~ 47 ps, 反射率 at 808nm: 96%
|
|
|
SAM-1064-13-x-124 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 13 %, D R = 7 %, t ~ 124 ps, 反射率 at 808nm: 70%
|
|
|
SAM-1064-22-x-47 ps
|
SAM: l = 1064 nm, 吸収率 22 %, D R = 14 %, t ~ 47 ps, 反射率 at 808nm: 50%
|