◇製品名:可飽和デバイス(Saturable Absorber)
可飽和吸収ミラー/SAMTM
λ=2000nm( 1900nm .. 2050nm )
Saturable Absorber Mirror
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和吸収ミラー/SAMTM
λ=2000nm( 1900nm .. 2050nm )
Saturable Absorber Mirror
BATOP Optoelectronics GmbH
■SAM 1960 nm, 緩和時間:t ～ 500 fs
可飽和吸収ミラーは超短パルス波を発生する受動モードロック技術により様々なレーザのキャビティ内の受動デバイスに設置され
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収ミラー(SAM)の種類等に関しては以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収ミラー(SAM)の種類等に関しては以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
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部品番号 Help
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仕様
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データ
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SAM-1920-2-x-500 fs
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SAM: l = 1920 nm, 吸収率 2 %, D R = 1.2 %, t ~ 500 fs
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SAM-1920-4-x-500 fs
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SAM: l = 1920 nm, 吸収率 4 %, D R = 2.6 %, t ~ 500 fs
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SAM-1920-7-x-500 fs
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SAM: l = 1920 nm, 吸収率 7 %, D R = 4 %, t ~ 500 fs
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SAM-1920-8-x-500 fs
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SAM: l = 1920 nm, 吸収率 8 %, D R = 5 %, t ~ 500 fs
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ヒートシンク
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ファイバー結合SAM用ヒートシンク
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部品番号 Help
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仕様
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データ
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SAM-1960-5-x-500 fs
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SAM: l = 1960 nm, 吸収率 5 %, D R = 3 %, t ~ 500 fs
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SAM-1960-8-x-500 fs
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SAM: l = 1960 nm, 吸収率 8 %, D R = 5 %, t ~ 500 fs
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SAM-1960-13-x-500 fs
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SAM: l = 1960 nm, 吸収率 13 %, D R = 8 %, t ~ 500 ps
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SAM-1960-15-x-500 fs
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SAM: l = 1960 nm, 吸収率 15 %, D R = 8 %, t ~ 500 ps
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SAM-1960-18-x-500 fs
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SAM: l = 1960 nm, 吸収率 18 %, D R = 10 %, t ~ 500 ps ファイバーレーザモードロック用
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SAM-1960-30-x-500 fs
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SAM: l = 1960 nm, 吸収率 30 %, D R = 18 %, t ~ 500 ps
ファイバーレーザモードロック用反共振構造 |
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SAM-1960-54-x-500 fs
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SAM: l = 1960 nm, 吸収率 54 %, D R = 30 %, t ~ 500 ps
ファイバーレーザモードロック用共振構造 |
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ヒートシンク
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ファイバー結合SAM用ヒートシンク
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■高速 SAM 1920 nm, 緩和時間:t ～ 500 fs
■SAM 2000 nm, 緩和時間:t ～ 500 fs
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部品番号 Help
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仕様
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データ
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SAM-2000-13-x-500 fs
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SAM: l = 2000 nm, 吸収率 20 %, D R = 8 %, t ~ 500 fs
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SAM-2000-20-x-500 fs
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SAM: l = 2000 nm, 吸収率 20 %, D R = 12 %, t ~ 500 fs
ファイバーレーザモードロック用反共振構造,共振構造 |
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SAM-2000-36-x-500 fs
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SAM: l = 2000 nm, 吸収率 36 %, D R = 20 %, t ~ 500 fs
ファイバーレーザモードロック用共振構造 |
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SAM-2000-43-x-500 fs
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SAM: l = 2000 nm, 吸収率 43 %, D R = 25 %, t ~ 500 fs
ファイバーレーザモードロック用共振構造 |
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SAM-2000-44-x-500 fs
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SAM: l = 2000 nm, 吸収率 44 %, D R = 19 %, t ~ 500 fs
ファイバーレーザモードロック用反共振構造,共振構造 |
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ヒートシンク
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ファイバー結合SAM用ヒートシンク
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■SAM 1960 nm, 吸収率:8 %
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部品番号 Help
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仕様
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データ
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SAM-1960-8-x-t
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Saturable Absorber Mirror, 動作波長 1040 nm, 吸収率 8 %, 緩和時間 t
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SAM-1960-8-0-t
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unmounted chip, サイズ: 4 mm x 4 mm, 厚さ: 400 µm
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SAM-1960-8-0-t
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unmounted chip, サイズ: 1 mm x 1 mm or 1.3 mm x 1.3 mm,
厚さ: 400 µm, ファイバーの突き合わせ結合用, 5 個/set |
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SAM-1960-8-12.7 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm Ø
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SAM-1960-8-25.0 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-1960-8-25.4 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm Ø
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SAM-1960-8-12.7 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm Ø
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SAM-1960-8-25.0 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-1960-8-25.4 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm Ø
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SAM-1960-8-25.0 w-t
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mounted: soldered on a water cooled Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-1960-8-FC/PC-t
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mounted on a 1 m monomode fiber cable with FC/PC or その他コネクタ対応
以下在庫商品: SM 2000, SMF 28, PM 1550 HP (Panda) |