◇製品名:可飽和デバイス(Saturable Absorber)
可飽和吸収ミラー/SAMTM
λ=1550nm( 1500nm .. 1600nm)
Saturable Absorber Mirror
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和吸収ミラー/SAMTM
λ=1550nm( 1500nm .. 1600nm)
Saturable Absorber Mirror
BATOP Optoelectronics GmbH
■SAM 1550 nm, 緩和時間:t ～ 10 ps
可飽和吸収ミラーは超短パルス波を発生する受動モードロック技術により様々なレーザのキャビティ内の受動デバイスに設置され
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収ミラー(SAM)の種類等に関しては以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収ミラー(SAM)の種類等に関しては以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
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部品番号 Help
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仕様
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データ
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SAM-1550-4 -x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 4 %, D R = 2.4 %, t ~ 500 fs, 反共振設計
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SAM-1550-6-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 6 %, D R = 3.6 %, t ~ 25 ps, 共振設計
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SAM-1550-9-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 9 %, D R = 6 %, t ~ 2 ps
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SAM-1550-13-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 13 %, D R = 7 %, t ~ 2 ps, ファイバーレーザモードロック用
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SAM-1550-16-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 16 %, D R = 9 %, t ~ 2 ps, ファイバーレーザモードロック用 反共振設計
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SAM-1550-22-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 22 %, D R = 13 %, t ~ 2 ps, ファイバーレーザモードロック用 反共振設計
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SAM-1550-23-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 23 %, D R = 14 %, t ~ 2 ps
ファイバーレーザモードロック用 共振設計 分散データ |
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SAM-1550-30-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 30 %, D R = 18 %, t ~ 2 p, ファイバーレーザモードロック用 共振設計
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SAM-1550-34-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 34 %, D R = 18 %, t ~ 2 ps, ファイバーレーザモードロック用 共振設計
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SAM-1550-35-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 35 %, D R = 21 %, t ~ 2 ps, ファイバーレーザモードロック用 共振設計
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SAM-1550-37-x-2 ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 37 %, D R = 22 %, t ~ 2 ps, ファイバーレーザモードロック用 共振設計
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SAM-1550-55-x-2 ps
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SAM: l = 1550nm, 吸収率 55 %, D R = 36 %, t ~ 2 ps,
ファイバーレーザモードロック用 共振設計 |
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ヒートシンク
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ファイバー結合SAM用ヒートシンク
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部品番号 Help
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仕様
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データ
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SAM-1550-1-x-10ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 1 %, D R = 0.6 %, t ~ 10 ps, 分散データ
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SAM-1550-2-x-10ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 2 %, D R = 1.2 %, t ~ 10 ps, 分散データ
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SAM-1550-4-x-10ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 4 %, D R = 2.6 %, t ~ 10 ps, 分散データ
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SAM-1550-10-x-10ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 10 %, D R = 6 %, t ~ 10 ps, 分散データ
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SAM-1550-20-x-12ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 20 %, D R = 12 %, t ~ 12 ps, ファイバーレーザモードロック用, 分散データ
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SAM-1550-30-x-10ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 30 %, D R = 18 %, t ~ 10 ps, ファイバーレーザモードロック用, 分散データ
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SAM-1550-40-x-10ps
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SAM: l = 1550nm, 吸収率 40 %, D R = 24%, t ~ 10 ps,
ファイバーレーザモードロック用共振設計, 分散データ |
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SAM-1550-50-x-10ps
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SAM: l = 1550 nm, 吸収率 50 %, D R = 30%, t ~ 10 ps, ファイバーレーザモードロック用, 分散データ
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ヒートシンク
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ファイバー結合SAM用ヒートシンク
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■高速 SAM 1550 nm, 緩和時間:t ～ 2 ps
■SAM 1550 nm, 吸収率:2 %
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部品番号 Help
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仕様
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データ
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SAM-1550-2-x-t
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Saturable Absorber Mirror, 動作波長 1040 nm, 吸収率 2 %, 緩和時間 t
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SAM-1550-2-0-t
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unmounted chip, サイズ: 4 mm x 4 mm, 厚さ: 400 µm
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SAM-1550-2-0-t
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unmounted chip, サイズ: 1 mm x 1 mm or 1.3 mm x 1.3 mm,
厚さ: 400 µm, ファイバーの突き合わせ結合用, 5 個/set |
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SAM-1550-2-12.7 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm Ø
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SAM-1550-2-25.0 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-1550-2-25.4 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm Ø
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SAM-1550-2-12.7 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm Ø
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SAM-1550-2-25.0 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-1550-2-25.4 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm Ø
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SAM-1550-2-25.0 w-t
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mounted: soldered on a water cooled Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-1550-2-FC/PC-t
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mounted on a 1 m monomode fiber cable with FC/PC or その他コネクタ対応
以下在庫商品: SMF 28, PM 1550 HP |