◇製品名:可飽和デバイス(Saturable Absorber)
可飽和吸収ミラー/SAMTM
λ=800nm(710～860nm)
Saturable Absorber Mirror
BATOP Optoelectronics GmbH
可飽和吸収ミラー/SAMTM
λ=800nm(710～860nm)
Saturable Absorber Mirror
BATOP Optoelectronics GmbH
■可飽和吸収ミラー(SAMTM)詳細
可飽和吸収ミラーは超短パルス波を発生する受動モードロック技術により様々なレーザのキャビティ内の受動デバイスに設置され
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収ミラー(SAM)の種類等に関しては以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
能動技術として活用されます。受動モードロッキングデバイスの可飽和吸収ミラー(SAM)はレーザキャビティの広範囲のモードロック
として用いられます。パルス波はCW(連続波)のレーザ動作の多波長モードの同期吸収体材料(SAM)により位相ロックされ
極短波長が得られます。詳細については以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
可飽和吸収ミラー(SAM)の種類等に関しては以下ご参照下さい。⇒資料(詳細)
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部品番号
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仕様
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データ
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SAM-800-3-x-500fs
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SAM: l = 800 nm, 吸収率 3 %, D R = 0.8 %
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SAM-800-6-x-500fs
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SAM: l = 800 nm, 吸収率 6 %, D R = 2 %
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部品番号
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仕様
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データ
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SAM-800-3-x-t
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Saturable Absorber Mirror, 動作波長 800 nm, 吸収率 3 %
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SAM-800-3-0-t
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unmounted chip, 面積: 4 mm x 4 mm, 厚さ: 400 µm
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SAM-800-3-0-t
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unmounted chip, 面積: 1 mm x 1 mm or 1.3 mm x 1.3 mm,
厚さ: 400 µm, ファイバーの突き合わせ結合用, 5 個/ set |
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SAM-800-3-7 t-t
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mounted: thin film soldered on a W/Cu heat sink with dimensions 7mm x 7mm x 1mm
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SAM-800-3-12.7 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm Ø
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SAM-800-3-25.0 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-800-3-25.4 g-t
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mounted: glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm Ø
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SAM-800-3-12.7 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm Ø
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SAM-800-3-25.0 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-800-3-25.4 s-t
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mounted: soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm Ø
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SAM-800-3-25.0 w-t
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mounted: soldered on a water cooled Cu-cylinder with 25.0 mm Ø
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SAM-800-3-25.0 h-t
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mounted: Thin film soldered SAM on W/Cu submount,
glued with silver epoxy on a water cooled copper heat sink with 25.0 mm diameter for high power applications |
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SAM-800-3-FC/PC-t
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mounted on a 1 m SMファイバー FC/PC 付き、その他コネクター対応
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