InGaAs:
APD & PIN フォトダイオード
APD 0200-17-D; APD 0200-17-C; APD 0200-17-TO
Chungwa Leading Photonics Tech.(LCPT)社
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InGaAs:APD & PIN フォトダイオード
0.5、1、2、3、および5mmの開口部を持つ高品質大面積InGaAs PINフォトダイオードチップのご提供
短波長拡張(600〜1700nm、-17V)シリーズはSiと標準のInGaAs検出器の組合せで可視光波長帯をカバー
カスタム設計可能:チップ形状、サイズ、アパーチャも可能ですので、お問い合わせ下さい。


APD & PIN フォトダイオード
モデル APD 0200-17-C: InGaAs アバランシェ フォトダイオード チップ
英文(資料)

特長
信頼性の高いプレーナデバイス
0.95-1.65μmに於ける高い応答性
低漏れ電流と雑音
>750MHz 3dB バンド幅
漂遊吸収が少ない

応用
光検出と測距(LIDAR)
スペクトル解析
光ファイバー通信/テスト
光コヒーレンストモグラフィー
シングルフォトダイオードSWIRカメラ
隠れIRセンシング

概 要
モデル番号
APD 0200-17-TO
パラメータ
単位
仕様値
スペクトル範囲
μm
0.95-1.65
口径サイズ
μm
φ200
パッケージタイプ
-
TO-46/3P
仕様(TAMB=23℃)
モデル番号
APD 0200-17-TO
パラメータ
単位
Min
Typ
Max
スペクトル範囲
μm
0.95-1.65
暗電流 (M=10)
nA
-
5
50
動作電圧(Vop) (M=10)
V
32
-
50
破壊電圧(Vbd) (Ibd=100uA)
V
35
-
55
容量 (M=10, f=1MHz)
pF
-
2.5
3.0
応答性
M=10,λ=1.55u
A/W
8
9
M=1,λ=1.55u
A/W
0.8
0.9
-
利得(λ=1.55um)
10
20
-
3dB バンド幅 (f3dB) (M=10,λ=1.55um)
GHz
0.8
1
-
スぺクトル ノイズ 電流 (M=10,Δf=1Khz)
pA/√Hz
-
0.5
1.5
絶対最大定格
モデル番号
APD 0200-17-TO
パラメータ
単位
Min
Max
逆電流
mA
-
1
順方向電流
mA
-
5
周囲温度
動作
-40
+85
保存
-40
+85
なお、詳細仕様に付いては英文資料をご参照下さい。⇒

お問い合わせ
株式会社ネオトロン