InGaAs:
APD & PIN フォトダイオード
▲APD 0200-17-D; ▲APD 0200-17-C; ▲APD 0200-17-TO
Chungwa Leading Photonics Tech.(LCPT)社
APD & PIN フォトダイオード
▲APD 0200-17-D; ▲APD 0200-17-C; ▲APD 0200-17-TO
Chungwa Leading Photonics Tech.(LCPT)社
InGaAs:APD フォトダイオード
●0.5、1、2、3、および5mmの開口部を持つ高品質大面積InGaAs PINフォトダイオードチップのご提供
●短波長拡張（600〜1700nm、-17V）シリーズはSiと標準のInGaAs検出器の組合せで可視光波長帯をカバー
●カスタム設計可能:チップ形状、サイズ、アパーチャも可能ですので、お問い合わせ下さい。
●0.5、1、2、3、および5mmの開口部を持つ高品質大面積InGaAs PINフォトダイオードチップのご提供
●短波長拡張（600〜1700nm、-17V）シリーズはSiと標準のInGaAs検出器の組合せで可視光波長帯をカバー
●カスタム設計可能:チップ形状、サイズ、アパーチャも可能ですので、お問い合わせ下さい。
●信頼性の高いプレーナデバイス
●0.95-1.65μmに於ける高い応答性
●低漏れ電流と雑音
●>750MHz 3dB バンド幅
●漂遊吸収が少ない
●光検出と測距(LIDAR)
●スペクトル解析
●光ファイバー通信/テスト
●光コヒーレンストモグラフィー
●シングルフォトダイオードSWIRカメラ
●隠れIRセンシング
概 要
|
モデル番号
|
APD 0200-17-D
|
||
|
パラメータ
|
単位
|
仕様値
|
|
|
スペクトル範囲
|
μm
|
0.95-1.65
|
|
|
口径サイズ
|
μm
|
φ200
|
|
|
チップサイズ
|
長さ
|
mm
|
460±15
|
|
幅
|
μm
|
460±15
|
|
|
厚さ
|
μm
|
200±20
|
|
仕様(TAMB=23℃)
|
モデル番号
|
APD 0200-17-D
|
||||
|
パラメータ
|
単位
|
Min
|
Typ
|
Max
|
|
|
スペクトル範囲
|
μm
|
0.95-1.65
|
|||
|
暗電流 M=10
|
nA
|
-
|
5
|
50
|
|
|
動作電圧(Vop)
|
V
|
32
|
-
|
50
|
|
|
破壊電圧(Vbd) Ibd=100μA
|
V
|
35
|
-
|
55
|
|
|
容量 M=10, f=1MHz
|
pF
|
-
|
2.5
|
3.0
|
|
|
利得 λ=1.55
|
‐
|
10
|
20
|
-
|
|
|
3dB バンド幅 (ｆ3dB)
|
A/W
|
-
|
-
|
-
|
|
|
スぺクトル ノイズ 電流
|
pA/√Hz
|
-
|
0.5
|
1.5
|
|
Vbdの温度係数 |
W/√Hz
|
-
|
0.1
|
0.15
|
|
絶対最大定格
|
モデル番号
|
APD 0200-17-D
|
|||
|
パラメータ
|
単位
|
Min
|
Max
|
|
|
逆電流
|
mA
|
-
|
1
|
|
|
順方向電流
|
mA
|
-
|
５
|
|
|
周囲温度
|
動作
|
℃
|
-40
|
+85
|
|
保存
|
℃
|
-55
|
+125
|
|
