InGaAs:
APD & PIN フォトダイオード
▲PIN1000-17(V)-D;　▲PIN1000-17(V)-C; ▲PIN1000-17(V)-TO
▲PIN2000-17(V)-D;　▲PIN2000-17(V)-C; ▲PIN2000-17(V)-TO
▲PIN1000-22-TO;　▲PIN1000-22-TO
Chungwa Leading Photonics Tech.(LCPT)社
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InGaAs:PIN フォトダイオード
●0.5、1、2、3、および5mmの開口部を持つ高品質大面積InGaAs PINフォトダイオードチップのご提供
●短波長拡張（600〜1700nm、-17V）シリーズはSiと標準のInGaAs検出器の組合せで可視光波長帯をカバー
●カスタム設計可能:チップ形状、サイズ、アパーチャも可能ですので、お問い合わせ下さい。
◇InGaAs PIN フォトダイオードチップ(2.2-μｍ カットオフ)
PIN1000-22-TO: φ950μm ディテクター口径；
PIN2000-22-TO: φ1850μm ディテクター口径
英文(資料)
特長
●信頼性の高いプレーナデバイス
●低漏れ電流
●波長1.2-2.2μmにて高応答性
●漂遊吸収が少ない

 応用
●パワーモニタリング
●スペクトル解析
●光検出と測距(LIDAR)
●リモート温度センサー
●湿度検出
●氷/半解の雪/湿気等の検出
●ｶﾞｽ漏れ検出
●シングルフォトダイオードSWIRカメラ
●赤外光センシング変換
概 要
モデル番号
PIN1000-22-TO
PIN2000-22-TO
パラメータ
単位
仕様値
スペクトル範囲
μm
1.2-2.2
口径サイズ
μm
φ950
φ1850
パッケージタイプ
mm
TO-46/3P
TO-39/3P
仕様(TAMB=23℃)
モデル番号
PIN1000-22-TO
PIN2000-22-TO
パラメータ
単位
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
スペクトル範囲
μm
1.2-2.2
暗電流　＠-5V
μA
-
2
5
-
5
12
シャント抵抗 @-10mV
KΩ
25
50
-
15
25
-
容量 @1MΩ
@0V
pF
-
250
500
-
2000
2800
@-5V
-
150
300
-
1500
2100
3dB バンド幅 @-0.5V,50Ω
MHz
10
20
-
1.5
2
-
応答性 @1.9um, 0V
A/W
1.0
1.05
-
1.0
1.05
-
飽和パワー@1.55um,0V,-0.2dB
mW
5.0
7.0
-
0.3
0.5
-
 
NEP @1.9um,0V,1KHz
10-4
W/√Hz
-
3
5
-
4
6
絶対最大定格(TAMB=23℃）
モデル番号
PIN1000-22-TO
PIN2000-22-TO
パラメータ
単位
Min
Max
Min
Max
逆電圧
V
-
1.5
-
1
逆電流
mA
-
10
-
10
順方向電流
mA
-
10
-
10
動作温度
℃
-40
+85
-40
+85
保存温度
℃
-45
+85
-45
+85
なお、詳細仕様に付いては英文資料をご参照下さい。⇒
お問い合わせ
株式会社ネオトロン